近日，富士通半导体公司正式宣布推出一款具有突破性功耗表现的64kb FRAM（铁电存储器）芯片，该产品在运行功耗方面达到了同类产品中的最佳水平，特别适用于电池供电设备的开发。

这款新型64kb FRAM采用了富士通专有的铁电材料技术和低功耗电路设计，在保持高速读写性能的同时，将运行功耗降低了约30%相比传统产品。其工作电压范围覆盖1.8V至3.6V，非常适合物联网设备、可穿戴设备、医疗监测设备等对电池寿命要求严格的应用场景。

FRAM技术结合了RAM的高速读写特性和非易失性存储的数据保持能力，无需电池备份即可在断电情况下保持数据。此次富士通推出的低功耗版本进一步拓展了FRAM在便携式设备中的应用潜力。

据富士通半导体事业部负责人介绍，这款产品已经完成样品测试，预计将于下季度开始批量供货。该产品的推出标志着低功耗存储器技术在电池供电设备领域迈出了重要一步，将为设备制造商提供更长的电池续航时间和更紧凑的产品设计可能。